2026年8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行面向AI的存储器先进封装生产基地奠基仪式，该生产基地为SK海力士在美国的首个HBM生产基地，总投资超40亿美元。预计于2028年10月完成无尘室 (Cleanroom)建设，并于2029年下半年启动新一代HBM量产。

SK海力士19日宣布，将回购价值40万亿韩元的股份并予以全部注销。公司计划在股东回报政策期间（2025年至2027年）内，返还累计自由现金流（FCF）的50%以上，并行实施股份回购注销和分红。

韩国首尔 8 月 4 日消息，SK 海力士携手闪迪共同发布下一代存储技术高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的首个标准规范。HBF 定位 HBM 和固态硬盘之间的新型存储层级，可破解 AI 产业“内存墙”瓶颈。规范由 OCP 对外发布，具体定义容量、带宽、UCIe 互联等技术指标。FMS 2026 闪存峰会期间 SK 海力士举办多场技术分享，并首次亮相 375 层 V10 4D NAND 闪存晶圆及产品，计划明年推出配套企业级固态硬盘。

据财联社消息，此次 ADR 发行单价 149 美元，合计发行 1.779 亿份，募资目标 40 万亿韩元。

据《朝鲜日报》引述业内消息称，SK海力士正考虑略微推迟部分第五代HBM（HBM3E）产线向HBM4的转换计划。这一政策的核心在于提升对通用DRAM市场的响应速度。目前，通用DRAM的营业利润率已超越HBM，此举旨在确保更多利润。业界普遍认为，这反映出SK海力士的判断：鉴于其在HBM市场已稳占主导地位，目前并无必要急于向HBM4及第七代HBM（HBM4E）过渡。

随着AI应用爆发，全球存储产业已步入新的上升通道。核心驱动力来自大型云服务商对算力底座的持续重投：一方面，为保障模型训练与推理的性能瓶颈，HBM、服务器DRAM及企业级SSD成为刚需；另一方面，面对供应链博弈，巨头们倾向于利用长期采购协议（LTA）锁定核心产能。这种“扩量+锁产”的双重策略，正是其在AI大模型竞争中确立领先壁垒的关键手段。

据韩媒报道，SK海力士将于今年年底前量产下一代375层3D NAND闪存。目前，SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作，正着手准备将生产线转移至量产阶段。

SK海力士正式向韩美半导体订购了价值442亿韩元的第六代高带宽内存“HBM4”制造设备，标志着随着HBM4量产的正式启动，其相关设备投资已全面展开。

SK海力士和英伟达宣布达成一项多年技术合作协议，旨在推进下一代内存技术的发展，助力全球人工智能工厂建设，并加速半导体设计和制造。该协议建立在双方多年来的深度合作研发基础之上，双方已共同打造出一些全球最先进的人工智能计算平台。

据韩媒报道，SK海力士已向主要合作企业分享了其在2030年至2031年间将DRAM晶圆产能扩大至目前两倍水平的中长期扩产计划。