SK海力士年内进行定制化HBM4流片
SK海力士计划在2024年内先后为英伟达和AMD流片HBM4产品,以支持其高性能计算需求。其中,英伟达的HBM4预计10月流片,AMD的版本则计划年底流片。
SK海力士选择继续使用在HBM3E中验证过的1b nm DRAM裸片,以确保技术稳定性。此外,HBM4的基础裸片将采用台积电的N12FFC+和N5工艺。英伟达预计将在2026年发布的AI GPU "Rubin"中使用12层堆叠的HBM4内存,以进一步提升性能。
转自“中国闪存市场”
SK海力士计划在2024年内先后为英伟达和AMD流片HBM4产品,以支持其高性能计算需求。其中,英伟达的HBM4预计10月流片,AMD的版本则计划年底流片。
SK海力士选择继续使用在HBM3E中验证过的1b nm DRAM裸片,以确保技术稳定性。此外,HBM4的基础裸片将采用台积电的N12FFC+和N5工艺。英伟达预计将在2026年发布的AI GPU "Rubin"中使用12层堆叠的HBM4内存,以进一步提升性能。
转自“中国闪存市场”