SK海力士计划2026年引入Hi-NA EUV设备

继日前有报道称三星计划在今年年底或2025年第一季度引入其首台High-NA EUV光刻机「EXE:5000」后，据韩媒引述业内人士透露，SK海力士计划2026年引入Hi-NA EUV设备。

报道称，SK海力士正在加速开发用于尖端存储器的Hi-NA EUV技术，首台Hi-NA EUV设施计划于2026年从ASML引进，目前SK海力士正在全力建立新的研发团队并扩充人员。目前其具体计划，如晶圆厂引进设备或追加投资方向等尚未透露，但预计最早可应用于0a（个位数纳米级DRAM）量产。

High-NA EUV通过进一步提高 EUV 的性能来瞄准 2 纳米工艺。 NA是镜头像差，数值越高，分辨率越好。现有EUV的镜头像差为0.33，High-NA EUV的镜头像差更高，为0.55。ASML的首款 High-NA EUV 设备“EXE:5000”型号已知售价为3.8亿美元。

                                                                             转自“中国闪存市场”