为降低成本，消息称SK海力士加入4F² DRAM研发阵营

据韩媒报道，SK海力士近日宣布，计划开发4F² DRAM。SK海力士研究员 Seo Jae Wook 表示，自 1c DRAM 商业化以来，EUV工艺成本一直在快速上涨。SK海力士正在考虑为未来的DRAM 制造引入垂直栅极 (VG) 或 3D DRAM技术，采用 VG 或 3D DRAM，可将 EUV 工艺成本降低一半。

VG是内存制造商内部所称的 4F²。三星将其称为垂直通道晶体管 (VCT)。

4F² DRAM 是下一代DRAM，其存储单元（存储数据的最小单位）结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。

如果成功的话，据说在不改变节点的情况下，与现有的6F² DRAM 相比，采用4F² 的单元阵列可以将芯片die面积减少30%左右。

消息人士称，三星和SK海力士计划在10nm及以下节点将4F² 与 DRAM 结合使用。三星电子今年7月曾表示，其4F² 正在顺利开发中。

                                                                             转自“中国闪存市场”