消息称SK海力士拟明年底量产400层NAND Flash

据韩媒etnews报道，业内人士透露，SK海力士已开始研发400层NAND Flash，目前正在开发工艺技术和设备，其目标是明年年底可以实现大规模生产，预计2026年上半年实现全面量产。

据了解，SK海力士正计划使用“混合键合”来实现400级NAND。具体来说，即采用“晶圆到晶圆（W2W）”技术，该技术涉及将两个晶圆直接键合在一起。

到目前为止，SK海力士一直在同一块晶圆上实现存储NAND闪存数据的“单元(cell)”区域和驱动这些单元的电路区域“外围电路(periphery, 或称peri)”。通过采用混合键合技术，可能在提高存储密度和生产效率方面迈出重要的一步，这有助于在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位。

将存储单元（cell）堆叠在外围电路（periphery）之上的结构被称为“Peri-Under-Cell (PUC)”。这就像高层复合公寓，其中底层是商铺（periphery），上面是住宅区（cell）。

三星电子也采用了类似的结构来实现其NAND Flash，称为“Cell-On-Peri (COP)”。根据存储单元是一次性堆叠还是分两次堆叠，分为“单堆叠（single-stack）”和“双堆叠（double-stack）”。

然而，随着NAND单元数量的增加，将periphery放置在cell下方面临着限制。这是因为cell在堆叠过程中无法承受高温和高压导致被损坏。

克服这一问题的技术是混合键合。这是一种通过在不同晶圆上实现cell和periphery，然后重新连接两个晶圆来生产NAND的方法。在这种情况下，cell可以堆叠超过400层，并且可以单独制造驱动单元的晶圆，从而稳定地增加NAND层数。鉴于这些优势，SK海力士决定引入W2W方法来制造400层或更多层的NAND。

对该NAND闪存产品的生产，SK海力士表示，“公司对技术研发或量产时期的具体计划无法评论。”

                                                                                        转自“中国闪存市场”