SK海力士将于明年下半年量产第四代（1a nm）DRAM

据韩媒报道，SK海力士表示，其计划将于明年下半年开始在利川厂区M16采用EUV设备生产第四代（1a nm）DRAM产品。

SK海力士总裁李石熙表示M16工厂将于今年底建成，明年上半年开始引入制造设备，目前实验室正在进行准备工作，预计明年开始批量生产1a nm DRAM。

目前，在内存市场上，仅三星电子和SK海力士宣布将在下一代DRAM产品中采用EUV技术，美光何时应用还不得而知。业内人士认为，EUV导入进度可能会成为打破内存三巨头格局的开端。

                                                                                                转自“中国闪存市场”